WYD50601
产品特点
· 峰值效率: 95% (VO = 3.3V)
· 集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) :55mΩ /50mΩ
· 分离电源轨: PVIN 上的电压为 1.6V 至 6.3V
· 电源轨: VIN 上的电压为 3V 至 6.3V
· 最大输出电流:6A
· 开关频率选项:
➢ 100kHz 至 1.5MHz 可调内部振荡器
➢ 外部同步功能的频率范围: 100kHz 至 1.5MHz
➢ 可针对主/从设备将同步引脚配置为500kHz 输出
· 25°C 时的基准电压:0.76V±1.5%
· ESD等级: ➢ ±1000V(HBM人体模型);
· 工作温度范围:-55℃~+125℃;
· 存储温度范围:-65℃~+150 ℃;
· 封装形式:CFP (20)
· 峰值效率: 95% (VO = 3.3V)
· 集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) :55mΩ /50mΩ
· 分离电源轨: PVIN 上的电压为 1.6V 至 6.3V
· 电源轨: VIN 上的电压为 3V 至 6.3V
· 最大输出电流:6A
· 开关频率选项:
➢ 100kHz 至 1.5MHz 可调内部振荡器
➢ 外部同步功能的频率范围: 100kHz 至 1.5MHz
➢ 可针对主/从设备将同步引脚配置为500kHz 输出
· 25°C 时的基准电压:0.76V±1.5%
· ESD等级: ➢ ±1000V(HBM人体模型);
· 工作温度范围:-55℃~+125℃;
· 存储温度范围:-65℃~+150 ℃;
· 封装形式:CFP (20)
| 型号 | WYD50601 |
| 输入电压范围 | -0.2V~7V |
| 可调输出电压 | 0~6.3V |
| 最大输出电流 | 6A |
| 峰值效率 | 95%(V0=3.3V) |
| 封装 | CFP(20) |
| 工作温度范围 | -55℃~125℃ |
| 兼容型号 | TPS50601 |
| 产品标准 | 工业,军温工业 |